MOS場效應(yīng)管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞，又因在靜電較強(qiáng)的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。

　　靜電擊穿有兩種方式：

　　一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;

　　二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS場效應(yīng)管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS場效應(yīng)管的輸入電阻更高。

　　靜電放電形成的是短時大電流，放電脈沖的時間常數(shù)遠(yuǎn)小于器件散熱的時間常數(shù)。因此，當(dāng)靜電放電電流通過面積很小的pn結(jié)或肖特基結(jié)時，將產(chǎn)生很大的瞬間功率密度，形成局部過熱，有可能使局部結(jié)溫達(dá)到甚至超過材料的本征溫度(如硅的熔點(diǎn)1415℃)，使結(jié)區(qū)局部或多處熔化導(dǎo)致pn結(jié)短路，器件徹底失效。這種失效的發(fā)生與否，主要取決于器件內(nèi)部區(qū)域的功率密度，功率密度越小，說明器件越不易受到損傷。

　　解決方案

　　第一、MOS場效應(yīng)管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓 (U=Q/C)，將管子損壞。雖然MOS輸入端有抗靜電的保護(hù)措施，但仍需小心對待，在存儲和運(yùn)輸中最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。組裝、調(diào)試時，工具、儀表、工作臺等均應(yīng)良好接地。要防止操作人員的靜電干擾造成的損壞，如不宜穿尼龍、化纖衣服，手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對器件引線矯直彎曲或人工焊接時，使用的設(shè)備必須良好接地。

　　第二、MOS電路輸入端的保護(hù)二極管，其通時電流容限一般為1mA，在可能出現(xiàn)過大瞬態(tài)輸入電流(超過10mA)時，應(yīng)串接輸入保護(hù)電阻。因此應(yīng)用時可選擇一個內(nèi)部有保護(hù)電阻的MOS場效應(yīng)管應(yīng)。還有 由于保護(hù)電路吸收的瞬間能量有限，太大的瞬間信號和過高的靜電電壓將使保護(hù)電路失去作用。所以焊接時電烙鐵必須可靠接地，以防漏電擊穿器件輸入端，一般使用時，可斷電后利用電烙鐵的余熱進(jìn)行焊接，并先焊其接地管腳。