三星貼片電容有通交流，阻直流功能，適用于回流焊及波峰焊之表面黏著技術(shù)，三星貼片電容又有小尺寸高信賴(lài)性;良好的高頻特性;符合ROHS規(guī)范?？蓱?yīng)用于一般電子電路、通訊電路等多種場(chǎng)合。

三星貼片電容的主要特性參數(shù)：

(1)容量與誤差：實(shí)際電容量和標(biāo)稱(chēng)電容量允許的最大偏差范圍。一般分為3級(jí)：I級(jí)±5%，II級(jí)±10%，III級(jí)±20%。在有些情況下，還有0級(jí)，誤差為±20%。 精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級(jí)。常用的電容器其精度等級(jí)和電阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005級(jí)——±0.5%;F——01級(jí)——±1%;G——02級(jí)——±2%;J——I 級(jí)——±5%;K——II級(jí)——±10%;M——III級(jí)——±20%。

(2)額定工作電壓：電容器在電路中能夠長(zhǎng)期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的最大直流電壓，又稱(chēng)耐壓。對(duì)于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。

(3)溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1℃，電容量的相對(duì)變化值。溫度系數(shù)越小越好。

(4)絕緣電阻：用來(lái)表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對(duì)而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。

(5)損耗：在電場(chǎng)的作用下，電容器在單位時(shí)間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。這些損耗主要來(lái)自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來(lái)表示。

(6)頻率特性：電容器的電參數(shù)隨電場(chǎng)頻率而變化的性質(zhì)。在高頻條件下工作的電容器，由于介電常數(shù)在高頻時(shí)比低頻時(shí)小，電容量也相應(yīng)減小。損耗也隨頻率的升高而增加。另外，在高頻工作時(shí)，電容器的分布參數(shù)，如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等，都會(huì)影響電容器的性能。所有這些，使得電容器的使用頻率受到限制。

三星貼片電容耐壓值識(shí)別

不同品種的電容器，最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以?xún)?nèi);圓片型瓷介電容器為300MHZ;圓管型瓷介電容器為200MHZ;圓盤(pán)型瓷介可達(dá)3000MHZ;小型紙介電容器為80MHZ;中型紙介電容器只有8MHZ。

三星電容器中，有些只用一個(gè)數(shù)字和一個(gè)英文字母的組合來(lái)標(biāo)注其額定直流工作電壓。如：1H 、2E、2G、3A等。其中數(shù)字表示10的指數(shù),英文字母表示不同的數(shù)值(單位V)。

常用的有：A表示1.0;B表示1.25;C表示1.6;D表示2.0;E表示2.5;F表示3.15;G表示4.0;H表示5.0;J表示6.3.例：393KH和224J/1H，其中393、244表示電容器的容量，K、J表示電容器的誤差，H、1H意義相同表示101*5.0=50V。又如：2E104.104表示容量，2E表示102*2.5=250V。

基本單位為P，輔助單位有G，M，N。換算關(guān)系為：1G=1000UF;1M=1UF=1000PF;標(biāo)注法：通常不是小數(shù)點(diǎn)，而是用單位整數(shù)，將小數(shù)部分隔開(kāi)。例如：6G8=6.8G=6800UF;2P2=2.2PF;M33=0.33UF;68n=0.068UF有的電容器用數(shù)碼表示，數(shù)碼前2位為兩有效數(shù)字，第3位有效數(shù)字后面“零的”個(gè)數(shù)。數(shù)碼后J(5%)、K(10%)、M(20%)代表誤差等級(jí)。如222K=2200PF+10%，應(yīng)特別注意不要將J、K、M與我國(guó)電阻器標(biāo)志相混，更不要把電容器誤認(rèn)為電阻器。